BSG0811NDATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSG0811NDATMA1 | BSG0811NDATMA1 Inventory, Best Pricing

BSG0811NDATMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BSG0811NDATMA1
LIXINC Part #	BSG0811NDATMA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BSG0811NDATMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BSG0811NDATMA1 Specyfikacje

Numer części:	BSG0811NDATMA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	OptiMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
funkcja fet:	Logic Level Gate, 4.5V Drive
dren do źródła napięcia (vdss):	25V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	19A, 41A
rds na (maks.) @ id, vgs:	3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	8.4nC @ 4.5V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1100pF @ 12V
moc - maks:	2.5W
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	8-PowerTDFN
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TISON-8