MJ11030G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MJ11030G

MJ11030G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	MJ11030G
LIXINC Part #	MJ11030G
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze
Opis	TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	MJ11030G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 07 - Jul 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

MJ11030G Specyfikacje

Numer części:	MJ11030G
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tray
stan części:	Obsolete
typ tranzystora:	NPN - Darlington
prąd - kolektor (ic) (max):	50 A
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	90 V
nasycenie vce (maks.) @ ib, ic:	3.5V @ 500mA, 50A
prąd - odcięcie kolektora (max):	2mA
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	1000 @ 25A, 5V
moc - maks:	300 W
częstotliwość - przejście:	-
temperatura robocza:	-55°C ~ 200°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	TO-204AE
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-3