2SD2695,T6F(M | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SD2695,T6F(M

2SD2695,T6F(M

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	2SD2695,T6F(M
LIXINC Part #	2SD2695,T6F(M
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze
Opis	TRANS NPN 2A 60V TO226-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	2SD2695,T6F(M Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 10 - Oct 14 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

2SD2695,T6F(M Specyfikacje

Numer części:	2SD2695,T6F(M
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typ tranzystora:	NPN
prąd - kolektor (ic) (max):	2 A
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	60 V
nasycenie vce (maks.) @ ib, ic:	1.5V @ 1mA, 1A
prąd - odcięcie kolektora (max):	10µA (ICBO)
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	2000 @ 1A, 2V
moc - maks:	900 mW
częstotliwość - przejście:	100MHz
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-92MOD