2SA1962-O(Q) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SA1962-O(Q)

2SA1962-O(Q)

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	2SA1962-O(Q)
LIXINC Part #	2SA1962-O(Q)
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze
Opis	TRANS PNP 230V 15A TO-3PN
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	2SA1962-O(Q) Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

2SA1962-O(Q) Specyfikacje

Numer części:	2SA1962-O(Q)
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ tranzystora:	PNP
prąd - kolektor (ic) (max):	15 A
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	230 V
nasycenie vce (maks.) @ ib, ic:	3V @ 800mA, 8A
prąd - odcięcie kolektora (max):	5µA (ICBO)
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 1A, 5V
moc - maks:	130 W
częstotliwość - przejście:	30MHz
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	TO-3P-3, SC-65-3
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-3P(N)