NJVMJD3055T4G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NJVMJD3055T4G

NJVMJD3055T4G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NJVMJD3055T4G
LIXINC Part #	NJVMJD3055T4G
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze
Opis	TRANS NPN 60V 10A DPAK-4
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NJVMJD3055T4G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 27 - Oct 31 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NJVMJD3055T4G Specyfikacje

Numer części:	NJVMJD3055T4G
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ tranzystora:	NPN
prąd - kolektor (ic) (max):	10 A
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	60 V
nasycenie vce (maks.) @ ib, ic:	8V @ 3.3A, 10A
prąd - odcięcie kolektora (max):	50µA
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	20 @ 4A, 4V
moc - maks:	1.75 W
częstotliwość - przejście:	2MHz
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
pakiet urządzeń dostawcy:	DPAK