NJVMJD117T4G | Rochester Electronics NJVMJD117T4G | NJVMJD117T4G Inventory, Best Pricing

NJVMJD117T4G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NJVMJD117T4G
LIXINC Part #	NJVMJD117T4G
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze
Opis	POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, PN
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NJVMJD117T4G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NJVMJD117T4G Specyfikacje

Numer części:	NJVMJD117T4G
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ tranzystora:	PNP - Darlington
prąd - kolektor (ic) (max):	2 A
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	100 V
nasycenie vce (maks.) @ ib, ic:	3V @ 40mA, 4A
prąd - odcięcie kolektora (max):	20µA
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	1000 @ 2A, 3V
moc - maks:	1.75 W
częstotliwość - przejście:	25MHz
temperatura robocza:	-65°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
pakiet urządzeń dostawcy:	DPAK