2SJ190-TD-E | Rochester Electronics 2SJ190-TD-E | 2SJ190-TD-E Inventory, Best Pricing

2SJ190-TD-E

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	2SJ190-TD-E
LIXINC Part #	2SJ190-TD-E
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze
Opis	NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	2SJ190-TD-E Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

2SJ190-TD-E Specyfikacje

Numer części:	2SJ190-TD-E
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	*
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ tranzystora:	-
prąd - kolektor (ic) (max):	-
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	-
nasycenie vce (maks.) @ ib, ic:	-
prąd - odcięcie kolektora (max):	-
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	-
moc - maks:	-
częstotliwość - przejście:	-
temperatura robocza:	-
typ mocowania:	-
opakowanie / etui:	-
pakiet urządzeń dostawcy:	-