RN2106(T5L,F,T) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN2106(T5L,F,T)

RN2106(T5L,F,T)

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	RN2106(T5L,F,T)
LIXINC Part #	RN2106(T5L,F,T)
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze, wstępnie spolaryzowane
Opis	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	RN2106(T5L,F,T) Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 07 - Jul 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

RN2106(T5L,F,T) Specyfikacje

Numer części:	RN2106(T5L,F,T)
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze, wstępnie spolaryzowane
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ tranzystora:	PNP - Pre-Biased
prąd - kolektor (ic) (max):	100 mA
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	50 V
rezystor - baza (r1):	4.7 kOhms
rezystor - baza emitera (r2):	47 kOhms
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 10mA, 5V
nasycenie vce (maks.) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
prąd - odcięcie kolektora (max):	500nA
częstotliwość - przejście:	200 MHz
moc - maks:	100 mW
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	SC-75, SOT-416
pakiet urządzeń dostawcy:	SSM