FJN3312RTA | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FJN3312RTA

FJN3312RTA

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FJN3312RTA
LIXINC Part #	FJN3312RTA
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze, wstępnie spolaryzowane
Opis	TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FJN3312RTA Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 03 - Jul 07 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FJN3312RTA Specyfikacje

Numer części:	FJN3312RTA
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze, wstępnie spolaryzowane
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Box (TB)
stan części:	Obsolete
typ tranzystora:	NPN - Pre-Biased
prąd - kolektor (ic) (max):	100 mA
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	40 V
rezystor - baza (r1):	47 kOhms
rezystor - baza emitera (r2):	-
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	100 @ 1mA, 5V
nasycenie vce (maks.) @ ib, ic:	300mV @ 1mA, 10mA
prąd - odcięcie kolektora (max):	100nA (ICBO)
częstotliwość - przejście:	250 MHz
moc - maks:	300 mW
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-92-3