DTC123JUBHZGTL | ROHM Semiconductor DTC123JUBHZGTL | DTC123JUBHZGTL Inventory, Best Pricing

DTC123JUBHZGTL

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	DTC123JUBHZGTL
LIXINC Part #	DTC123JUBHZGTL
Producent	ROHM Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze, wstępnie spolaryzowane
Opis	NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	DTC123JUBHZGTL Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

DTC123JUBHZGTL Specyfikacje

Numer części:	DTC123JUBHZGTL
Marka:	ROHM Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze, wstępnie spolaryzowane
Producent:	ROHM Semiconductor
seria:	Automotive, AEC-Q101
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Not For New Designs
typ tranzystora:	NPN - Pre-Biased + Diode
prąd - kolektor (ic) (max):	100 mA
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	-
rezystor - baza (r1):	2.2 kOhms
rezystor - baza emitera (r2):	47 kOhms
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 10mA, 5V
nasycenie vce (maks.) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
prąd - odcięcie kolektora (max):	-
częstotliwość - przejście:	250 MHz
moc - maks:	200 mW
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	SC-85
pakiet urządzeń dostawcy:	UMT3F