NSBA113EF3T5G | Rochester Electronics NSBA113EF3T5G | NSBA113EF3T5G Inventory, Best Pricing

NSBA113EF3T5G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NSBA113EF3T5G
LIXINC Part #	NSBA113EF3T5G
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze, wstępnie spolaryzowane
Opis	SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NSBA113EF3T5G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NSBA113EF3T5G Specyfikacje

Numer części:	NSBA113EF3T5G
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze, wstępnie spolaryzowane
Producent:	Rochester Electronics
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ tranzystora:	PNP - Pre-Biased
prąd - kolektor (ic) (max):	100 mA
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	50 V
rezystor - baza (r1):	1 kOhms
rezystor - baza emitera (r2):	1 kOhms
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	3 @ 5mA, 10V
nasycenie vce (maks.) @ ib, ic:	250mV @ 5mA, 10mA
prąd - odcięcie kolektora (max):	500nA
częstotliwość - przejście:	-
moc - maks:	254 mW
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	SOT-1123
pakiet urządzeń dostawcy:	SOT-1123