BFG35,115 | NXP Semiconductors BFG35,115 | BFG35,115 Inventory, Best Pricing

BFG35,115

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BFG35,115
LIXINC Part #	BFG35,115
Producent	NXP Semiconductors
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - rf
Opis	RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT223
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BFG35,115 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BFG35,115 Specyfikacje

Numer części:	BFG35,115
Marka:	NXP Semiconductors
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - rf
Producent:	NXP Semiconductors
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typ tranzystora:	NPN
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	18V
częstotliwość - przejście:	4GHz
współczynnik szumów (db typ @ f):	-
osiągać:	-
moc - maks:	1W
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	25 @ 100mA, 10V
prąd - kolektor (ic) (max):	150mA
temperatura robocza:	175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	TO-261-4, TO-261AA
pakiet urządzeń dostawcy:	SOT-223