BFU710F,115 | NXP Semiconductors BFU710F,115 | BFU710F,115 Inventory, Best Pricing

BFU710F,115

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BFU710F,115
LIXINC Part #	BFU710F,115
Producent	NXP Semiconductors
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - rf
Opis	RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BFU710F,115 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BFU710F,115 Specyfikacje

Numer części:	BFU710F,115
Marka:	NXP Semiconductors
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - rf
Producent:	NXP Semiconductors
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ tranzystora:	NPN
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	2.8V
częstotliwość - przejście:	43GHz
współczynnik szumów (db typ @ f):	0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
osiągać:	-
moc - maks:	136mW
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	200 @ 1mA, 2V
prąd - kolektor (ic) (max):	10mA
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	SOT-343F
pakiet urządzeń dostawcy:	4-DFP