MT3S111P(TE12L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation MT3S111P(TE12L,F) | MT3S111P(TE12L,F) Inventory, Best Pricing

MT3S111P(TE12L,F)

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	MT3S111P(TE12L,F)
LIXINC Part #	MT3S111P(TE12L,F)
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - rf
Opis	RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	MT3S111P(TE12L,F) Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

MT3S111P(TE12L,F) Specyfikacje

Numer części:	MT3S111P(TE12L,F)
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - rf
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ tranzystora:	NPN
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	6V
częstotliwość - przejście:	8GHz
współczynnik szumów (db typ @ f):	1.25dB @ 1GHz
osiągać:	10.5dB
moc - maks:	1W
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	200 @ 30mA, 5V
prąd - kolektor (ic) (max):	100mA
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	TO-243AA
pakiet urządzeń dostawcy:	PW-MINI