RN4990(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN4990(TE85L,F)

RN4990(TE85L,F)

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	RN4990(TE85L,F)
LIXINC Part #	RN4990(TE85L,F)
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - macierze, wstępnie spolaryzowane
Opis	NPN + PNP BRT, Q1BSR=4.7KΩ, Q1BE
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	RN4990(TE85L,F) Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 10 - Oct 14 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

RN4990(TE85L,F) Specyfikacje

Numer części:	RN4990(TE85L,F)
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - macierze, wstępnie spolaryzowane
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ tranzystora:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
prąd - kolektor (ic) (max):	100mA
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	50V
rezystor - baza (r1):	4.7kOhms
rezystor - baza emitera (r2):	-
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	120 @ 1mA, 5V
nasycenie vce (maks.) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
prąd - odcięcie kolektora (max):	100nA (ICBO)
częstotliwość - przejście:	250MHz, 200MHz
moc - maks:	200mW
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
pakiet urządzeń dostawcy:	US6