NSVBC114YPDXV65G | Rochester Electronics NSVBC114YPDXV65G | NSVBC114YPDXV65G Inventory, Best Pricing

NSVBC114YPDXV65G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NSVBC114YPDXV65G
LIXINC Part #	NSVBC114YPDXV65G
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - macierze, wstępnie spolaryzowane
Opis	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NSVBC114YPDXV65G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 10 - Oct 14 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NSVBC114YPDXV65G Specyfikacje

Numer części:	NSVBC114YPDXV65G
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - macierze, wstępnie spolaryzowane
Producent:	Rochester Electronics
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ tranzystora:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
prąd - kolektor (ic) (max):	100mA
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	50V
rezystor - baza (r1):	10kOhms
rezystor - baza emitera (r2):	47kOhms
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 5mA, 10V
nasycenie vce (maks.) @ ib, ic:	250mV @ 300µA, 10mA
prąd - odcięcie kolektora (max):	500nA
częstotliwość - przejście:	-
moc - maks:	500mW
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	SOT-563, SOT-666
pakiet urządzeń dostawcy:	SOT-563