RN2707JE(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN2707JE(TE85L,F) | RN2707JE(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

RN2707JE(TE85L,F)

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	RN2707JE(TE85L,F)
LIXINC Part #	RN2707JE(TE85L,F)
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - macierze, wstępnie spolaryzowane
Opis	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	RN2707JE(TE85L,F) Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

RN2707JE(TE85L,F) Specyfikacje

Numer części:	RN2707JE(TE85L,F)
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - macierze, wstępnie spolaryzowane
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ tranzystora:	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
prąd - kolektor (ic) (max):	100mA
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	50V
rezystor - baza (r1):	10kOhms
rezystor - baza emitera (r2):	47kOhms
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 10mA, 5V
nasycenie vce (maks.) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
prąd - odcięcie kolektora (max):	100nA (ICBO)
częstotliwość - przejście:	200MHz
moc - maks:	100mW
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	SOT-553
pakiet urządzeń dostawcy:	ESV