EMH4T2R | ROHM Semiconductor EMH4T2R | EMH4T2R Inventory, Best Pricing

EMH4T2R

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	EMH4T2R
LIXINC Part #	EMH4T2R
Producent	ROHM Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - macierze, wstępnie spolaryzowane
Opis	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	EMH4T2R Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

EMH4T2R Specyfikacje

Numer części:	EMH4T2R
Marka:	ROHM Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - macierze, wstępnie spolaryzowane
Producent:	ROHM Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
typ tranzystora:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
prąd - kolektor (ic) (max):	100mA
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	50V
rezystor - baza (r1):	10kOhms
rezystor - baza emitera (r2):	-
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	100 @ 1mA, 5V
nasycenie vce (maks.) @ ib, ic:	300mV @ 1mA, 10mA
prąd - odcięcie kolektora (max):	500nA (ICBO)
częstotliwość - przejście:	250MHz
moc - maks:	150mW
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	SOT-563, SOT-666
pakiet urządzeń dostawcy:	EMT6