IMB3AT110 | ROHM Semiconductor IMB3AT110 | IMB3AT110 Inventory, Best Pricing

IMB3AT110

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IMB3AT110
LIXINC Part #	IMB3AT110
Producent	ROHM Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - macierze, wstępnie spolaryzowane
Opis	TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IMB3AT110 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IMB3AT110 Specyfikacje

Numer części:	IMB3AT110
Marka:	ROHM Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - macierze, wstępnie spolaryzowane
Producent:	ROHM Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ tranzystora:	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
prąd - kolektor (ic) (max):	100mA
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	50V
rezystor - baza (r1):	4.7kOhms
rezystor - baza emitera (r2):	-
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	100 @ 1mA, 5V
nasycenie vce (maks.) @ ib, ic:	300mV @ 2.5mA, 5mA
prąd - odcięcie kolektora (max):	-
częstotliwość - przejście:	250MHz
moc - maks:	300mW
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	SC-74, SOT-457
pakiet urządzeń dostawcy:	SMT6