VLZ9V1B-GS18 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VLZ9V1B-GS18

VLZ9V1B-GS18

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	VLZ9V1B-GS18
LIXINC Part #	VLZ9V1B-GS18
Producent	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - zenera - pojedyncze
Opis	DIODE ZENER 8.76V 500MW SOD80
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	VLZ9V1B-GS18 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 09 - Oct 13 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

VLZ9V1B-GS18 Specyfikacje

Numer części:	VLZ9V1B-GS18
Marka:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - zenera - pojedyncze
Producent:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
seria:	Automotive, AEC-Q101
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Obsolete
napięcie - zenera (nom) (vz):	8.76 V
tolerancja:	-
moc - maks:	500 mW
impedancja (maks.) (zzt):	8 Ohms
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	40 µA @ 8.14 V
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	1.5 V @ 200 mA
temperatura robocza:	-65°C ~ 175°C
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	SOD-80 Variant
pakiet urządzeń dostawcy:	SOD-80 QuadroMELF