GDZ8V2B-E3-18 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division GDZ8V2B-E3-18

GDZ8V2B-E3-18

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	GDZ8V2B-E3-18
LIXINC Part #	GDZ8V2B-E3-18
Producent	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - zenera - pojedyncze
Opis	DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD323
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	GDZ8V2B-E3-18 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 09 - Oct 13 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

GDZ8V2B-E3-18 Specyfikacje

Numer części:	GDZ8V2B-E3-18
Marka:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - zenera - pojedyncze
Producent:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
seria:	Automotive, AEC-Q101
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
napięcie - zenera (nom) (vz):	8.2 V
tolerancja:	±2%
moc - maks:	200 mW
impedancja (maks.) (zzt):	30 Ohms
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	500 nA @ 5 V
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	-
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	SC-76, SOD-323
pakiet urządzeń dostawcy:	SOD-323