BZX55B3V9-TAP | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BZX55B3V9-TAP

BZX55B3V9-TAP

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BZX55B3V9-TAP
LIXINC Part #	BZX55B3V9-TAP
Producent	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - zenera - pojedyncze
Opis	DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BZX55B3V9-TAP Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BZX55B3V9-TAP Specyfikacje

Numer części:	BZX55B3V9-TAP
Marka:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - zenera - pojedyncze
Producent:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
seria:	Automotive, AEC-Q101
pakiet:	Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
stan części:	Active
napięcie - zenera (nom) (vz):	3.9 V
tolerancja:	±2%
moc - maks:	500 mW
impedancja (maks.) (zzt):	90 Ohms
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	2 µA @ 1 V
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	1.5 V @ 200 mA
temperatura robocza:	-65°C ~ 175°C
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	DO-204AH, DO-35, Axial
pakiet urządzeń dostawcy:	DO-35