PLZ9V1B-G3/H | Vishay General Semiconductor – Diodes Division PLZ9V1B-G3/H

PLZ9V1B-G3/H

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	PLZ9V1B-G3/H
LIXINC Part #	PLZ9V1B-G3/H
Producent	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - zenera - pojedyncze
Opis	DIODE ZENER 8.79V 960MW DO219AC
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	PLZ9V1B-G3/H Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 28 - Oct 02 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

PLZ9V1B-G3/H Specyfikacje

Numer części:	PLZ9V1B-G3/H
Marka:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - zenera - pojedyncze
Producent:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
seria:	Automotive, AEC-Q101, PLZ
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
napięcie - zenera (nom) (vz):	8.79 V
tolerancja:	±2.5%
moc - maks:	960 mW
impedancja (maks.) (zzt):	8 Ohms
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	500 nA @ 6 V
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	900 mV @ 10 mA
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	DO-219AC
pakiet urządzeń dostawcy:	DO-219AC (microSMF)