BZT52C8V2-E3-08 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BZT52C8V2-E3-08

BZT52C8V2-E3-08

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BZT52C8V2-E3-08
LIXINC Part #	BZT52C8V2-E3-08
Producent	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - zenera - pojedyncze
Opis	DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BZT52C8V2-E3-08 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BZT52C8V2-E3-08 Specyfikacje

Numer części:	BZT52C8V2-E3-08
Marka:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - zenera - pojedyncze
Producent:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
napięcie - zenera (nom) (vz):	8.2 V
tolerancja:	±5%
moc - maks:	410 mW
impedancja (maks.) (zzt):	4.5 Ohms
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	100 nA @ 6 V
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	-
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	SOD-123
pakiet urządzeń dostawcy:	SOD-123