1N5257B-TAP | Vishay General Semiconductor – Diodes Division 1N5257B-TAP

1N5257B-TAP

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	1N5257B-TAP
LIXINC Part #	1N5257B-TAP
Producent	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - zenera - pojedyncze
Opis	DIODE ZENER 33V 500MW DO35
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	1N5257B-TAP Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 29 - Oct 03 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

1N5257B-TAP Specyfikacje

Numer części:	1N5257B-TAP
Marka:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - zenera - pojedyncze
Producent:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
seria:	Automotive, AEC-Q101
pakiet:	Tape & Box (TB)
stan części:	Active
napięcie - zenera (nom) (vz):	33 V
tolerancja:	±5%
moc - maks:	500 mW
impedancja (maks.) (zzt):	58 Ohms
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	100 nA @ 25 V
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	1.1 V @ 200 mA
temperatura robocza:	-65°C ~ 175°C
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	DO-204AH, DO-35, Axial
pakiet urządzeń dostawcy:	DO-35