1N8026-GA | GeneSiC Semiconductor 1N8026-GA | 1N8026-GA Inventory, Best Pricing

1N8026-GA

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	1N8026-GA
LIXINC Part #	1N8026-GA
Producent	GeneSiC Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - prostowniki - pojedyncze
Opis	DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	1N8026-GA Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

1N8026-GA Specyfikacje

Numer części:	1N8026-GA
Marka:	GeneSiC Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - prostowniki - pojedyncze
Producent:	GeneSiC Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
rodzaj diody:	Silicon Carbide Schottky
napięcie - prąd stały do tyłu (vr) (maks.):	1200 V
prąd - średni wyprostowany (io):	8A (DC)
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	1.6 V @ 2.5 A
prędkość:	No Recovery Time > 500mA (Io)
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	0 ns
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	10 µA @ 1200 V
pojemność @ vr, f:	237pF @ 1V, 1MHz
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	TO-257-3
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-257
temperatura pracy - złącze:	-55°C ~ 250°C