RS1J-M3/61T | Vishay General Semiconductor – Diodes Division RS1J-M3/61T

RS1J-M3/61T

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	RS1J-M3/61T
LIXINC Part #	RS1J-M3/61T
Producent	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - prostowniki - pojedyncze
Opis	DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	RS1J-M3/61T Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

RS1J-M3/61T Specyfikacje

Numer części:	RS1J-M3/61T
Marka:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - prostowniki - pojedyncze
Producent:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
rodzaj diody:	Standard
napięcie - prąd stały do tyłu (vr) (maks.):	600 V
prąd - średni wyprostowany (io):	1A
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	1.3 V @ 1 A
prędkość:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	250 ns
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	5 µA @ 600 V
pojemność @ vr, f:	7pF @ 4V, 1MHz
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	DO-214AC, SMA
pakiet urządzeń dostawcy:	DO-214AC (SMA)
temperatura pracy - złącze:	-55°C ~ 150°C