JAN1N6629US | Microsemi JAN1N6629US | JAN1N6629US Inventory, Best Pricing

JAN1N6629US

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	JAN1N6629US
LIXINC Part #	JAN1N6629US
Producent	Microsemi
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - prostowniki - pojedyncze
Opis	DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	JAN1N6629US Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 27 - Oct 31 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

JAN1N6629US Specyfikacje

Numer części:	JAN1N6629US
Marka:	Microsemi
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - prostowniki - pojedyncze
Producent:	Microsemi
seria:	Military, MIL-PRF-19500/590
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
rodzaj diody:	Standard
napięcie - prąd stały do tyłu (vr) (maks.):	880 V
prąd - średni wyprostowany (io):	1.4A
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	1.4 V @ 1.4 A
prędkość:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	50 ns
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	2 µA @ 880 V
pojemność @ vr, f:	40pF @ 10V, 1MHz
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	E-MELF
pakiet urządzeń dostawcy:	D-5B
temperatura pracy - złącze:	-65°C ~ 150°C