ESH1B-M3/5AT | Vishay General Semiconductor – Diodes Division ESH1B-M3/5AT

ESH1B-M3/5AT

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	ESH1B-M3/5AT
LIXINC Part #	ESH1B-M3/5AT
Producent	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - prostowniki - pojedyncze
Opis	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	ESH1B-M3/5AT Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 25 - Oct 29 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

ESH1B-M3/5AT Specyfikacje

Numer części:	ESH1B-M3/5AT
Marka:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - prostowniki - pojedyncze
Producent:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
rodzaj diody:	Standard
napięcie - prąd stały do tyłu (vr) (maks.):	100 V
prąd - średni wyprostowany (io):	1A
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	900 mV @ 1 A
prędkość:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	25 ns
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	1 µA @ 100 V
pojemność @ vr, f:	25pF @ 4V, 1MHz
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	DO-214AC, SMA
pakiet urządzeń dostawcy:	DO-214AC (SMA)
temperatura pracy - złącze:	-55°C ~ 175°C