IDB30E120ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IDB30E120ATMA1 | IDB30E120ATMA1 Inventory, Best Pricing

IDB30E120ATMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IDB30E120ATMA1
LIXINC Part #	IDB30E120ATMA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - prostowniki - pojedyncze
Opis	DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IDB30E120ATMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 20 - Oct 24 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IDB30E120ATMA1 Specyfikacje

Numer części:	IDB30E120ATMA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - prostowniki - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
rodzaj diody:	Standard
napięcie - prąd stały do tyłu (vr) (maks.):	1200 V
prąd - średni wyprostowany (io):	50A (DC)
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	2.15 V @ 30 A
prędkość:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	243 ns
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	100 µA @ 1200 V
pojemność @ vr, f:	-
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TO263-3-2
temperatura pracy - złącze:	-55°C ~ 150°C