1N4448TAP | Vishay General Semiconductor – Diodes Division 1N4448TAP

1N4448TAP

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	1N4448TAP
LIXINC Part #	1N4448TAP
Producent	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - prostowniki - pojedyncze
Opis	DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	1N4448TAP Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 06 - Oct 10 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

1N4448TAP Specyfikacje

Numer części:	1N4448TAP
Marka:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - prostowniki - pojedyncze
Producent:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
seria:	-
pakiet:	Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
stan części:	Active
rodzaj diody:	Standard
napięcie - prąd stały do tyłu (vr) (maks.):	75 V
prąd - średni wyprostowany (io):	150mA
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	720 mV @ 5 mA
prędkość:	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	8 ns
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	5 µA @ 75 V
pojemność @ vr, f:	4pF @ 0V, 1MHz
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	DO-204AH, DO-35, Axial
pakiet urządzeń dostawcy:	DO-35
temperatura pracy - złącze:	175°C (Max)