RFN1L6STE25 | ROHM Semiconductor RFN1L6STE25 | RFN1L6STE25 Inventory, Best Pricing

RFN1L6STE25

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	RFN1L6STE25
LIXINC Part #	RFN1L6STE25
Producent	ROHM Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - prostowniki - pojedyncze
Opis	DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	RFN1L6STE25 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 28 - Oct 02 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

RFN1L6STE25 Specyfikacje

Numer części:	RFN1L6STE25
Marka:	ROHM Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - prostowniki - pojedyncze
Producent:	ROHM Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Not For New Designs
rodzaj diody:	Standard
napięcie - prąd stały do tyłu (vr) (maks.):	600 V
prąd - średni wyprostowany (io):	800mA
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	1.45 V @ 800 mA
prędkość:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	35 ns
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	1 µA @ 600 V
pojemność @ vr, f:	-
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	DO-214AC, SMA
pakiet urządzeń dostawcy:	PMDS
temperatura pracy - złącze:	150°C (Max)