NSB8JT-E3/45 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division NSB8JT-E3/45

NSB8JT-E3/45

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NSB8JT-E3/45
LIXINC Part #	NSB8JT-E3/45
Producent	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - prostowniki - pojedyncze
Opis	DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NSB8JT-E3/45 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 04 - Jul 08 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NSB8JT-E3/45 Specyfikacje

Numer części:	NSB8JT-E3/45
Marka:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - prostowniki - pojedyncze
Producent:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Active
rodzaj diody:	Standard
napięcie - prąd stały do tyłu (vr) (maks.):	600 V
prąd - średni wyprostowany (io):	8A
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	1.1 V @ 8 A
prędkość:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	-
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	10 µA @ 600 V
pojemność @ vr, f:	55pF @ 4V, 1MHz
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-263AB
temperatura pracy - złącze:	-55°C ~ 150°C