1N5809US | Roving Networks / Microchip Technology 1N5809US

1N5809US

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	1N5809US
LIXINC Part #	1N5809US
Producent	Roving Networks / Microchip Technology
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - prostowniki - pojedyncze
Opis	DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	1N5809US Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Aug 15 - Aug 19 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

1N5809US Specyfikacje

Numer części:	1N5809US
Marka:	Roving Networks / Microchip Technology
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - prostowniki - pojedyncze
Producent:	Roving Networks / Microchip Technology
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
rodzaj diody:	Standard
napięcie - prąd stały do tyłu (vr) (maks.):	100 V
prąd - średni wyprostowany (io):	3A
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	875 mV @ 4 A
prędkość:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	30 ns
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	5 µA @ 100 V
pojemność @ vr, f:	60pF @ 10V, 1MHz
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	SQ-MELF, B
pakiet urządzeń dostawcy:	B, SQ-MELF
temperatura pracy - złącze:	-65°C ~ 175°C