NXPSC086506Q | WeEn Semiconductors Co., Ltd NXPSC086506Q | NXPSC086506Q Inventory, Best Pricing

NXPSC086506Q

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NXPSC086506Q
LIXINC Part #	NXPSC086506Q
Producent	WeEn Semiconductors Co., Ltd
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - prostowniki - pojedyncze
Opis	DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220AC
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NXPSC086506Q Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 20 - Oct 24 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NXPSC086506Q Specyfikacje

Numer części:	NXPSC086506Q
Marka:	WeEn Semiconductors Co., Ltd
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - prostowniki - pojedyncze
Producent:	WeEn Semiconductors Co., Ltd
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Active
rodzaj diody:	Silicon Carbide Schottky
napięcie - prąd stały do tyłu (vr) (maks.):	650 V
prąd - średni wyprostowany (io):	8A
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	1.7 V @ 8 A
prędkość:	No Recovery Time > 500mA (Io)
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	0 ns
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	230 µA @ 650 V
pojemność @ vr, f:	260pF @ 1V, 1MHz
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	TO-220-2
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220AC
temperatura pracy - złącze:	175°C (Max)