VS-1N3766R | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-1N3766R

VS-1N3766R

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	VS-1N3766R
LIXINC Part #	VS-1N3766R
Producent	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - prostowniki - pojedyncze
Opis	DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	VS-1N3766R Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 22 - Oct 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

VS-1N3766R Specyfikacje

Numer części:	VS-1N3766R
Marka:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - prostowniki - pojedyncze
Producent:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
rodzaj diody:	Standard, Reverse Polarity
napięcie - prąd stały do tyłu (vr) (maks.):	800 V
prąd - średni wyprostowany (io):	35A
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	1.8 V @ 110 A
prędkość:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	-
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	4 mA @ 800 V
pojemność @ vr, f:	-
typ mocowania:	Chassis, Stud Mount
opakowanie / etui:	DO-203AB, DO-5, Stud
pakiet urządzeń dostawcy:	DO-203AB
temperatura pracy - złącze:	-65°C ~ 190°C