IDH04G65C6XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IDH04G65C6XKSA1 | IDH04G65C6XKSA1 Inventory, Best Pricing

IDH04G65C6XKSA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IDH04G65C6XKSA1
LIXINC Part #	IDH04G65C6XKSA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - prostowniki - pojedyncze
Opis	DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IDH04G65C6XKSA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 21 - Oct 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IDH04G65C6XKSA1 Specyfikacje

Numer części:	IDH04G65C6XKSA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - prostowniki - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Active
rodzaj diody:	Silicon Carbide Schottky
napięcie - prąd stały do tyłu (vr) (maks.):	650 V
prąd - średni wyprostowany (io):	12A (DC)
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	1.35 V @ 4 A
prędkość:	No Recovery Time > 500mA (Io)
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	0 ns
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	14 µA @ 420 V
pojemność @ vr, f:	205pF @ 1V, 1MHz
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	TO-220-2
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TO220-2
temperatura pracy - złącze:	-55°C ~ 175°C