SE10FJ-M3/I | Vishay General Semiconductor – Diodes Division SE10FJ-M3/I

SE10FJ-M3/I

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SE10FJ-M3/I
LIXINC Part #	SE10FJ-M3/I
Producent	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - prostowniki - pojedyncze
Opis	DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SE10FJ-M3/I Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 23 - Oct 27 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SE10FJ-M3/I Specyfikacje

Numer części:	SE10FJ-M3/I
Marka:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - prostowniki - pojedyncze
Producent:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
rodzaj diody:	Standard
napięcie - prąd stały do tyłu (vr) (maks.):	600 V
prąd - średni wyprostowany (io):	1A
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	1.05 V @ 1 A
prędkość:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	780 ns
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	5 µA @ 600 V
pojemność @ vr, f:	7.5pF @ 4V, 1MHz
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	DO-219AB
pakiet urządzeń dostawcy:	DO-219AB (SMF)
temperatura pracy - złącze:	-55°C ~ 175°C