VS-HFA08TB120S-M3 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-HFA08TB120S-M3 | VS-HFA08TB120S-M3 Inventory, Best Pricing

VS-HFA08TB120S-M3

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	VS-HFA08TB120S-M3
LIXINC Part #	VS-HFA08TB120S-M3
Producent	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - prostowniki - pojedyncze
Opis	DIODE GEN PURP 1200V 8A D2PAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	VS-HFA08TB120S-M3 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 22 - Oct 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

VS-HFA08TB120S-M3 Specyfikacje

Numer części:	VS-HFA08TB120S-M3
Marka:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - prostowniki - pojedyncze
Producent:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
seria:	HEXFRED®
pakiet:	Tube
stan części:	Active
rodzaj diody:	Standard
napięcie - prąd stały do tyłu (vr) (maks.):	1200 V
prąd - średni wyprostowany (io):	8A (DC)
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	4.3 V @ 16 A
prędkość:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	95 ns
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	10 µA @ 1200 V
pojemność @ vr, f:	-
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-263AB (D²PAK)
temperatura pracy - złącze:	-55°C ~ 150°C