VB20120SG-M3/4W | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VB20120SG-M3/4W

VB20120SG-M3/4W

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	VB20120SG-M3/4W
LIXINC Part #	VB20120SG-M3/4W
Producent	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - prostowniki - pojedyncze
Opis	DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-263AB
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	VB20120SG-M3/4W Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 08 - Jul 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

VB20120SG-M3/4W Specyfikacje

Numer części:	VB20120SG-M3/4W
Marka:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - prostowniki - pojedyncze
Producent:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Active
rodzaj diody:	Schottky
napięcie - prąd stały do tyłu (vr) (maks.):	120 V
prąd - średni wyprostowany (io):	20A
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	1.33 V @ 20 A
prędkość:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	-
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	250 µA @ 120 V
pojemność @ vr, f:	-
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-263AB
temperatura pracy - złącze:	-55°C ~ 150°C