S3MHE3_A/I | Vishay General Semiconductor – Diodes Division S3MHE3_A/I

S3MHE3_A/I

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	S3MHE3_A/I
LIXINC Part #	S3MHE3_A/I
Producent	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - prostowniki - pojedyncze
Opis	DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	S3MHE3_A/I Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

S3MHE3_A/I Specyfikacje

Numer części:	S3MHE3_A/I
Marka:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - prostowniki - pojedyncze
Producent:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
rodzaj diody:	Standard
napięcie - prąd stały do tyłu (vr) (maks.):	1000 V
prąd - średni wyprostowany (io):	3A
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	1.15 V @ 2.5 A
prędkość:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	2.5 µs
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	10 µA @ 1000 V
pojemność @ vr, f:	60pF @ 4V, 1MHz
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	DO-214AB, SMC
pakiet urządzeń dostawcy:	DO-214AB (SMC)
temperatura pracy - złącze:	-55°C ~ 150°C