UGB15JT-E3H/I | Vishay General Semiconductor – Diodes Division UGB15JT-E3H/I

UGB15JT-E3H/I

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	UGB15JT-E3H/I
LIXINC Part #	UGB15JT-E3H/I
Producent	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - prostowniki - tablice
Opis	DIODE ARRAY GENERAL PURPOSE
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	UGB15JT-E3H/I Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

UGB15JT-E3H/I Specyfikacje

Numer części:	UGB15JT-E3H/I
Marka:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - prostowniki - tablice
Producent:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
konfiguracja diody:	-
rodzaj diody:	Standard
napięcie - prąd stały do tyłu (vr) (maks.):	600 V
prąd - średni wyprostowany (io) (na diodę):	-
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	1.75 V @ 15 A
prędkość:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	50 ns
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	30 µA @ 600 V
temperatura pracy - złącze:	-55°C ~ 150°C
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-263 (D²Pak)