TRS12N65FB,S1Q | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TRS12N65FB,S1Q

TRS12N65FB,S1Q

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	TRS12N65FB,S1Q
LIXINC Part #	TRS12N65FB,S1Q
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - prostowniki - tablice
Opis	SIC SBD TO-247 V=650 IF=12A
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	TRS12N65FB,S1Q Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

TRS12N65FB,S1Q Specyfikacje

Numer części:	TRS12N65FB,S1Q
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - prostowniki - tablice
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Active
konfiguracja diody:	1 Pair Common Cathode
rodzaj diody:	Silicon Carbide Schottky
napięcie - prąd stały do tyłu (vr) (maks.):	650 V
prąd - średni wyprostowany (io) (na diodę):	6A (DC)
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	1.6 V @ 6 A
prędkość:	No Recovery Time > 500mA (Io)
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	0 ns
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	30 µA @ 650 V
temperatura pracy - złącze:	175°C
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	TO-247-3
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-247