RJK1557DPA-00#J0 | Renesas Electronics America RJK1557DPA-00#J0 | RJK1557DPA-00#J0 Inventory, Best Pricing

RJK1557DPA-00#J0

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	RJK1557DPA-00#J0
LIXINC Part #	RJK1557DPA-00#J0
Producent	Renesas Electronics America
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 150V 25A 8WPAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	RJK1557DPA-00#J0 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 28 - Oct 02 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

RJK1557DPA-00#J0 Specyfikacje

Numer części:	RJK1557DPA-00#J0
Marka:	Renesas Electronics America
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Renesas Electronics America
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	150 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	25A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	58mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	20 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1250 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	30W (Tc)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-WPAK
opakowanie / etui:	8-PowerWDFN