SCT2120AFC | ROHM Semiconductor SCT2120AFC | SCT2120AFC Inventory, Best Pricing

SCT2120AFC

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SCT2120AFC
LIXINC Part #	SCT2120AFC
Producent	ROHM Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SCT2120AFC Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 29 - Oct 03 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SCT2120AFC Specyfikacje

Numer części:	SCT2120AFC
Marka:	ROHM Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	ROHM Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
dren do źródła napięcia (vdss):	650 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	29A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	18V
rds na (maks.) @ id, vgs:	156mOhm @ 10A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 3.3mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	61 nC @ 18 V
vgs (maks.):	+22V, -6V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1200 pF @ 500 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	165W (Tc)
temperatura robocza:	175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220AB
opakowanie / etui:	TO-220-3