BSZ068N06NSATMA1 | Rochester Electronics BSZ068N06NSATMA1 | BSZ068N06NSATMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ068N06NSATMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BSZ068N06NSATMA1
LIXINC Part #	BSZ068N06NSATMA1
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	BSZ068N06 - 12V-300V N-CHANNEL P
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BSZ068N06NSATMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 29 - Oct 03 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BSZ068N06NSATMA1 Specyfikacje

Numer części:	BSZ068N06NSATMA1
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	OptiMOS™
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	40A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	6.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.3V @ 20µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	21 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1.5 pF @ 30 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	2.1W (Ta), 46W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TSDSON-8-FL
opakowanie / etui:	8-PowerTDFN