BSR802NL6327HTSA1 | IR (Infineon Technologies) BSR802NL6327HTSA1 | BSR802NL6327HTSA1 Inventory, Best Pricing

BSR802NL6327HTSA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BSR802NL6327HTSA1
LIXINC Part #	BSR802NL6327HTSA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BSR802NL6327HTSA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 29 - Oct 03 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BSR802NL6327HTSA1 Specyfikacje

Numer części:	BSR802NL6327HTSA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	OptiMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	20 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	3.7A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	1.8V, 2.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	23mOhm @ 3.7A, 2.5V
vgs(th) (max) @ id:	750mV @ 30µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	4.7 nC @ 2.5 V
vgs (maks.):	±8V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1447 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	500mW (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-SC-59
opakowanie / etui:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3