IRFH7110TRPBF | Rochester Electronics IRFH7110TRPBF | IRFH7110TRPBF Inventory, Best Pricing

IRFH7110TRPBF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRFH7110TRPBF
LIXINC Part #	IRFH7110TRPBF
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 100V 11A/58A 8PQFN
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRFH7110TRPBF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 29 - Oct 03 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRFH7110TRPBF Specyfikacje

Numer części:	IRFH7110TRPBF
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	HEXFET®
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	100 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	11A (Ta), 58A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	13.5mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 100µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	87 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	3.24 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3.6W (Ta), 104W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-PQFN (5x6)
opakowanie / etui:	8-TQFN Exposed Pad