IPS65R1K0CEAKMA2 | IR (Infineon Technologies) IPS65R1K0CEAKMA2 | IPS65R1K0CEAKMA2 Inventory, Best Pricing

IPS65R1K0CEAKMA2

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IPS65R1K0CEAKMA2
LIXINC Part #	IPS65R1K0CEAKMA2
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 650V 7.2A TO251-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IPS65R1K0CEAKMA2 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 28 - Oct 02 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IPS65R1K0CEAKMA2 Specyfikacje

Numer części:	IPS65R1K0CEAKMA2
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	CoolMOS™ CE
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	650 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	7.2A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	1Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 200µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	15.3 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	328 pF @ 100 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	68W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TO251-3-342
opakowanie / etui:	TO-251-3 Stub Leads, IPak